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[转帖]CCD和CMOS的区别

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发表于 2005-2-9 17:56:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
<IMG alt="" src="http://bbs.nnsky.com/skins/default/topicface/face28.gif" border=0 dypop="发贴心情">        <B>CCD和CMOS的区别</B>5 d$ I3 f) f6 [6 m4 J, y( u

# ?' Q: T% U" Q: \8 p" U0 ~                                有鉴于许多网友询问        CCD        与        CMOS        的主要差别。我们暂时撇开复杂的技术文字,透过简单的比较来看这两种不同类型,作用相同的影像感光元件。0 m) g1 V/ J  f2 b/ m
                        不管,CCD        或        CMOS,基本上两者都是利用矽感光二极体(photodiode)进行光与电的转换。这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近,光线越强、电力越强;反之,光线越弱、电力也越弱的道理,将光影像转换为电子数字信号。$ d' Q/ w6 p% b2 |" l# F& ?+ }
                                比较        CCD        和        CMOS        的结构,ADC的位置和数量是最大的不同。简单的说,按我们在上一讲“CCD        感光元件的工作原理(上)”中所提之内容。CCD每曝光一次,在快门关闭后进行像素转移处理,将每一行中每一个像素(pixel)的电荷信号依序传入“缓冲器”中,由底端的线路引导输出至        CCD        旁的放大器进行放大,再串联        ADC        输出;相对地,CMOS        的设计中每个像素旁就直接连着        ADC(放大兼类比数字信号转换器),讯号直接放大并转换成数字信号。! _0 f' {1 k0 L+ ?& Y
两者优缺点的比较
: p! ?. K" Y( G( r                                                                CCD                                                                                                                                                                                                                                CMOS
9 q( x% y% u, O% a3 l9 [# j& \设计                单一感光器                                                                                                                                                                                                感光器连接放大器
* ~; @% e- w2 F" T( s( ]灵敏度                                同样面积下高                                                                                                                                                                                感光开口小,灵敏度低
' ~. n" k3 W) ^& X$ m成本                线路品质影响程度高,成本高                                                                CMOS整合集成,成本低
, w- q, n  @; }' [" ~  I解析度                                连接复杂度低,解析度高                                                                        低,新技术高
, ^+ N  H2 c, A2 ?1 {9 y噪点比                                单一放大,噪点低                                                                                                百万放大,噪点高. \8 y% |+ r0 p
功耗比                                需外加电压,功耗高                                                                                        直接放大,功耗低
( ^" S* T/ V" g! w; F" k% t<></P>* k8 @1 T1 F, X) f5 b+ @9 X
<>  由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整合各个像素的资料。8 J# ]* V  r; d7 _( G
                                整体来说,CCD        与        CMOS        两种设计的应用,反应在成像效果上,形成包括        ISO        感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等,不同类型的差异:
8 t: M# D$ N+ T5 ^7 b                                ISO        感光度差异:由于        CMOS        每个像素包含了放大器与A/D转换电路,过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积,因此        相同像素下,同样大小之感光器尺寸,CMOS的感光度会低于CCD。: H1 h8 M  n& E
                                成本差异:CMOS        应用半导体工业常用的        MOS制程,可以一次整合全部周边设施于单晶片中,节省加工晶片所需负担的成本和良率的损失;相对地        CCD        采用电荷传递的方式输出资讯,必须另辟传输通道,如果通道中有一个像素故障(Fail),就会导致一整排的讯号壅塞,无法传递,因此CCD的良率比CMOS低,加上另辟传输通道和外加        ADC        等周边,CCD的制造成本相对高于CMOS。
- z0 z, ~* o% M: w                                解析度差异:在第一点“感光度差异”中,由于        CMOS        每个像素的结构比        CCD        复杂,其感光开口不及CCD大,相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时,CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过,如果跳脱尺寸限制,目前业界的CMOS        感光原件已经可达到1400万        像素        /        全片幅的设计,CMOS        技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难,特别是全片幅        24mm-by-36mm        这样的大小。
& s: N+ q7 ]" i6 l! X                        噪点差异:由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个        ADC        放大器,如果以百万像素计,那么就需要百万个以上的        ADC        放大器,虽然是统一制造下的产品,但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在,很难达到放大同步的效果,对比单一个放大器的CCD,CMOS最终计算出的噪点就比较多。
8 G, E" m  {# Z. ~5 s' L9 @                        耗电量差异:CMOS的影像电荷驱动方式为主动式,感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出;但CCD却为被动式,必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平,因此        CCD        还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度,高驱动电压使        CCD        的电量远高于CMOS。# p! C9 B( t1 l8 z. a
                        尽管        CCD        在影像品质等各方面均优于CMOS,但不可否认的CMOS具有低成本、低耗电以及高整合度的特性。由于数码影像的需求热烈,CMOS的低成本和稳定供货,成为厂商的最爱,也因此其制造技术不断地改良更新,使得        CCD        与        CMOS        两者的差异逐渐缩小。新一代的CCD朝向耗电量减少作为改进目标,以期进入照相手机的行动通讯市场;CMOS系列,则开始朝向大尺寸面积与高速影像处理晶片统合,藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现,        特别是        Canon        系列的        EOS        D30        、EOS        300D        的成功,足见高速影像处理晶片已经可以胜任高像素        CMOS        所产生的影像处理时间与能力的缩短;另外,大尺寸全片幅则以        Kodak        DCS        Pro14n、DCS        Pro/n、DCS        Pro/c        这一系列的数码机身为号召,CMOS未来跨足高阶的影像市场产品,前景可期。</P>
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